格科微2019年高管总薪酬1432万:董事长赵立新176万,董秘曹维108万元

紫米财经 格科微(GalaxyCore Inc.)2019年高管总薪酬1,432.25万元,占净利润3.73。董事长赵立新176.47万元,董秘曹维108万元,首席运营官WENQIANG LI(李文强)174.38万元,副总裁LEE DO SUNG 246.69万元,副总裁李杰164.09万元,副总裁王富中172.34万元,CFO郭修贇103.89万元。

截至本招股说明书签署日,公司共有赵立新、WENQIANG LI(李文强)、李杰、乔劲轩、付文、王富中、CHAOYONGLI(李朝勇)7名核心技术人员。

赵立新先生,1966年出生,中国国籍,无境外永久居留权。赵立新先生毕业于清华大学,分别于1990年、1995年取得电气工程学士学位及电气工程硕士学位。1995年至1998年,历任Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd.的工艺工程师、工艺高级工程师。1998年至2001年,担任ESS Technology International,Inc.高级产品工程师。2001年至2003年,担任UT斯达康通讯有限公司的模拟电路设计部经理。2003年至今,担任公司董事长兼首席执行官。

曹维女士,1973年出生,中国国籍,无境外永久居留权。曹维女士毕业于美国圣塔克拉拉大学,取得计算机工程专业硕士学位。2001年至2004年,担任IP Infusion公司的软件工程师。2004年加入公司,历任数字验证工程师、高级工程师、人事行政经理,现担任公司董事、董事会秘书、副总裁。

HING WONG (黄庆)先生,1962年出生,美国国籍。1983年至1989年先后获得加利福尼亚大学伯克利分校物理学士学位、工程科学硕士学位及工程科学博士学位。1990年1月至1997年6月担任International Business Machines Corporation的技术开发工程师。1997年7月至1997年12月担任Chromatic Research的公司工程师。1997年12月至2003年5月担任Silicon Access Networks公司研发部门主管,亚洲商务副总经理。2004年1月至2004年12月担任Silicon Federation投资公司高级顾问。2005年至今担任华登投资咨询(北京)有限公司董事总经理。2006年至今担任格科微董事。

付磊先生,1968年出生,中国国籍,拥有美国永久居留权,1990年至2001年先后获得北京大学学士学位、中国科学院声学研究所硕士学位、麻省理工学院硕士学位、斯坦福大学MBA学位。1995年至1999年同时担任CIGNA Corporation的项目经理。2001年至2006年担任Pond Ventures的合伙人。2006年至2007年担任DAC Semiconductor的首席财务官。2008年1月至今担任上海常春藤投资有限公司的创始合伙人。2006年至今担任格科微的董事。

宋健先生,1966年出生,中国国籍,拥有美国永久居留权。1985年至1995年先后获得清华大学学士学位、硕士学位、博士学位。1995年3月至今先后担任清华大学电子工程系教师、副教授、教授,1998年10月至2005年1月任美国修斯网络系统公司高级技术人员,2015年至今担任四川长虹电子控股集团有限公司董事。2017年至今担任江苏卓胜微电子股份有限公司独立董事。2020年开始担任格科微独立董事。

郭少牧先生,1965年出生,中国香港籍。1984至1993年,先后获得浙江大学学士学位、美国南加州大学硕士学位。1996年至1998年就读于美国耶鲁大学管理学院。2000年至2001年担任Salomon Smith Barney投行部门经理。2001年至2005年担任香港汇丰投资银行的投行部门副董事。2005年至2007年担任J.P.Morgan Investment Banking Asia的地产投行部门的执行董事。2007年至2013年担任Morgan Stanley Investment Banking Asia的地产投行部门的董事总经理。2014年至今担任亿达中国控股有限公司的独立非执行董事。2015年至今担任花样年控股集团有限公司的独立非执行董事。2020年开始担任格科微独立董事。

WENQIANG LI(李文强)先生,1965年出生,新加坡国籍。WENQIANG LI(李文强)先生毕业于清华大学,后取得中国科学院硕士学位。1990年至1991年,担任北京首钢微电子有限公司筹备处技术人员。1991年至1994年,担任珠海睿智电子有限公司ASIS设计工程师。1995年至2001年,担任新加坡特许半导体制造有限公司主任工程师。2001年至2004年,担任美国WaferTech Limited Liability Company主任工程师。2004年至2006年,担任上海华虹NEC电子有限公司部门经理。2006年加入格科微,历任技术副总裁、首席运营官。

LEE DO SUNG先生,1963年出生,韩国国籍,1982年至1986年在韩国航空大学电子系就读,获得学士学位。1989年至2016年,历任三星电子半导体部门(S.LSI)应用技术、市场部高级工程师,台湾三星电子(S.LSI)营销部门长,三星电子半导体部门(S.LSI)SOC市场部门长,中国三星S.LSI市场部门长。2017年加入格科微,担任市场部副总裁。

CHAOYONG LI(李朝勇)先生,1965年出生,新加坡国籍。1983年至1987年在四川大学物理学半导体器件物理专业就读,取得学士学位,1995至1996年、1998年至2004年在新加坡南洋理工大学电机与电子工程系微电子专业就读,先后获得硕士和博士学位。1987年至1995年,在中国科学院半导体研究所学习和工作,历任助理工程师、工程师。1996年至1998年,担任CHARTERED SEMICONDUCTOR MANUFACTURING PTE LTD.工程师。1998年至2004年,历任新加坡微电子研究院高级工程师、微电子研究院院士、博士生/博士后导师、学术委员会委员、专利委员会委员。2004年5月至2020年2月,担任GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD新加坡七厂(12英寸芯片厂)工程技术部运营总监。2020年3月加入格科微,担任格科微副总裁。

乔劲轩先生,1982年出生,中国国籍,无境外永久居留权。2005年获得天津大学电子科学与技术学士学位,2008年获得上海交通大学微电子学与固体电子学硕士学位。2008年加入格科微上海,历任模拟设计部模拟设计工程师、模拟设计部部门经理、模拟设计部助理总监、手机CIS模拟设计部总监。

付文先生,1984年出生,中国国籍,无境外永久居留权。2006年获得浙江大学电子科学与技术学士学位,2008年获得浙江大学微电子与固体电子学硕士学位。2008年加入格科微上海,历任工艺研发部研发工程师、工艺研发部高级研发工程师、工艺研发部主任研发工程师、工艺研发部助理总监。

李杰先生,1976年出生,中国国籍,无境外永久居留权。1996年至2003年在清华大学材料科学与工程专业就读,先后获得学士和硕士学位。2003年加入格科微,历任研发部工程师、经理、总监、运营中心运营副总,2019年担任公司副总裁。

王富中先生,1981年出生,中国国籍,无境外永久居留权。1999年至2006年在中国科学技术大学测控技术与仪器专业、精密仪器与机械专业就读,先后获得学士和硕士学位。2006年至2011年,在天利半导体(深圳)有限公司研发部历任工程师、经理、技术总监。2012年加入格科微,历任显示事业部资深经理、总监、资深总监、副总裁。

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