芯联集成:2024年计划建成国内首条8英寸SiC MOSFET试验线

【紫米财经 文/蒋春晓】3月28日,芯联集成在互动平台表示,公司从2021年起投入SiC MOSFET芯片、模组封装技术的研发和产能建设,两年时间完成了3轮技术迭代,完成了应用于主驱的平面SiC MOSFET技术的突破。目前,公司最新一代的SiC MOSFET产品性能已达世界领先水平,用于车载主驱逆变器的SiC MOSFET器件和模块也于2023年实现量产。截至2023年12月,公司6英寸SiC MOSFET产线已实现月产出5000片以上,2024年公司还将计划建成国内首条8英寸SiC MOSFET试验线。 公司已与多家头部车企进行合作,未来将继续拓展更多新能源汽车主机厂和零部件客户。随着产品验证的推进和产能的不断提升,SiC MOSFET产品上车数量将迅速提升,营业收入也将大幅增长,继续巩固公司在国内车规级芯片代工与模组封测领域的领先地位。

芯联集成是一家专注于功率、 传感和传输应用领域,提供模拟芯片及模块封装的代工服务的制造商,公司主要从事 MEMS、IGBT、MOSFET、模拟IC、MCU 的研发、生产、销售,为汽车、新能源、工控、家电等领域提供完整的系统代工解决方案。芯联集成是国内领先的具备车规级IGBT/SiC芯片及模组和数模混合高压模拟芯片生产能力的代工企业,拥有种类完整、技术先进的车规级高质量功率器件和功率IC研发及量产平台,也是国内重要的车规和高端工业控制芯片及模组制造基地。同时,芯联集成还是国内规模、技术领先的MEMS晶圆代工厂。

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