【字谜科技讯】6月15日消息，据中科院官方报道，中科院上海光机所计算光刻技术研究取得进展。

据悉，中国科学院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC），仿真结果表明该技术具有较高的修正效率。

光刻是极大规模集成电路制造的关键技术之一，光刻分辨率决定集成电路的特征尺寸。随着集成电路图形的特征尺寸不断减小，光刻系统的衍射受限属性导致明显的光学邻近效应，降低了光刻成像质量。在光刻机软硬件不变的情况下，采用数学模型和软件算法对照明模式、掩模图形与工艺参数等进行优化，可有效提高光刻分辨率、增大工艺窗口，此类技术即计算光刻技术（Computational Lithography）。该技术被认为是推动集成电路芯片按照摩尔定律继续发展的新动力。