国星光电：公司研发方向是SiC Mosfet 可实现代替IGBT

【i紫米】4月18日，国星光电在互动平台透露，公司研发的方向是SiC Mosfet,暂未涉及Si-igbt。Mosfet可实现代替IGBT。

国星光电是集研发、设计、生产和销售中高端半导体发光二极管（LED）及其应用产品为一体的国家高新技术企业，主营业务为研发、生产与销售LED器件及组件产品。公司作为国内LED器件封装的龙头企业，涉足电子及LED行业50余年，产品广泛应用于消费类电子产品、家电产品、计算机、通讯、显示及亮化产品、通用照明、车灯、杀菌净化等领域，技术实力领先，产品精益制造，拥有全面的生产和质量管理认证体系。