【紫米财经 文/蒋春晓】8月16日，高德红外在互动平台透露，目前公司非制冷制造工艺为0.11微米，也拥有8微米像元非制冷红外芯片。公司一直以来以实际市场需求为前提向“大面阵、小像元”的方向发展，目前公司研制生产的红外芯片产品品类丰富，覆盖多种面阵规格、多种像元尺寸及多种波段组合。

武汉高德红外股份有限公司创立于1999年，是规模化从事红外核心器件、红外热像仪、大型光电系统研发、生产、销售的高新技术上市公司。高德红外工业园位于“中国光谷”，占地200余亩，高科技人才4000余名，市值500亿元，已建成覆盖底层红外核心器件至顶层完整光电系统的全产业链研制基地。